文献
J-GLOBAL ID:200902185680007006
整理番号:93A0430838
非ドープSiO2上のりんドープ酸化物の選択反応性イオンエッチング
Selective reactive ion etching of phosphorus-doped oxide over undoped SiO2.
著者 (3件):
VENDER D
(IBM Research Division, New York)
,
OEHRLEIN G S
(IBM Research Division, New York)
,
SCHWARTZ G C
(IBM Technology Products Division, New York)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
11
号:
2
ページ:
279-285
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)