文献
J-GLOBAL ID:200902185722272422
整理番号:93A0915790
In situ investigation by IR ellipsometry of the growth and interfaces of amorphous silicon and related materials.
著者 (3件):
OSSIKOVSKI R
(Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
,
SHIRAI H
(Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
,
DREVILLON B
(Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
234
号:
1/2
ページ:
363-366
発行年:
1993年10月25日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)