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文献
J-GLOBAL ID：200902185736300518
整理番号：01A0108897
GaAs上へのInAs量子ドットの選択的位置づけへの原子間力顕微鏡による直接的パターン化の応用
Application of atomic-force-microscope direct patterning to selective positioning of InAs quantum dots on GaAs.
HYON C K
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI S C
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
SONG S-H
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
HWANG S W
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
SON M H
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
AHN D
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
PARK Y J
(Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
,
KIM E K
(Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 16 ページ： 2607-2609 発行年： 2000年10月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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