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J-GLOBAL ID：200902185759765933 整理番号：93A0653698

低温分子線エピタクシーによるSi薄膜のドーピング

Doping of Si thin films by low-temperature molecular beam epitaxy.

著者 (3件)：

GOSSMANN H-J

(AT&T Bell Lab., New Jersey)

UNTERWALD F C

(AT&T Bell Lab., New Jersey)

LUFTMAN H S

(AT&T Bell Lab., New Jersey)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 73 号： 12 ページ： 8237-8241 発行年： 1993年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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