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文献
J-GLOBAL ID：200902185814004068
整理番号：02A0397793
側壁空乏型ゲートを持つシリコン単一電子トランジスタとダイナミック単一電子トランジスタ論理回路への応用
Silicon Single-Electron Transistors With Sidewall Depletion Gates and Their Application to Dynamic Single-Electron Transistor Logic.
KIM D H
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
SUNG S-K
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM K R
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE J D
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK B-G
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI B H
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
HWANG S W
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
AHN D
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49 号： 4 ページ： 627-635 発行年： 2002年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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