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文献
J-GLOBAL ID：200902185961925985
整理番号：01A0134917
NROM 新しい局在トラッピング2ビット不揮発性メモリセル
NROM: A Novel Localized Trapping, 2-Bit Nonvolatile Memory Cell.
EITAN B
(Saifun Semiconductors, Netanya, ISR)
,
PAVAN P
(Univ. Modena e Reggio Emilia, Modena, ITA)
,
BLOOM I
(Saifun Semiconductors, Netanya, ISR)
,
ALONI E
(Tower Semiconductors, Migdal Haemeq, ISR)
,
FROMMER A
(Tower Semiconductors, Migdal Haemeq, ISR)
,
FINZI D
(Tower Semiconductors, Migdal Haemeq, ISR)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 21 号： 11 ページ： 543-545 発行年： 2000年11月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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