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文献
J-GLOBAL ID：200902186005020040
整理番号：97A0501308
絶縁体上シリコン構造を用いることによる反応性イオンエッチング中の電荷蓄積の減少
Reduction of Charge Build-Up during Reactive Ion Etching by Using Silicon-On-Insulator Structures.
ARITA K
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
AKAMATSU M
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
ASANO T
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 3B ページ： 1505-1508 発行年： 1997年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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