文献
J-GLOBAL ID:200902186146977314
整理番号:02A0740301
MEMS用ドープドポリシリコン厚膜の応力をエンジニアするためのプロセス技術
A Process Technique to Engineer the Stress of Thick Doped Polysilicon Films for MEMS Applications.
著者 (3件):
AGARWAL A
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
NAGARAJAN R
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
SINGH J
(Inst. Microelectronics, Singapore)
資料名:
Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits
(Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻:
9th
ページ:
207-211
発行年:
2002年
JST資料番号:
W1259A
ISSN:
1946-1542
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)