文献
J-GLOBAL ID:200902186179137788
整理番号:93A0661679
GaAs面での分子ビームエピタキシャル成長NiAl膜の表面形状の走査型トンネル顕微鏡による研究
Morphology of molecular beam epitaxy grown NiAl on GaAs studied by scanning tunneling microscopy.
著者 (5件):
HIRONO S
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
TANIMOTO M
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
TAKIGAMI T
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
OSAKA J
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
INOUE N
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
1
ページ:
69-71
発行年:
1993年07月05日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)