文献
J-GLOBAL ID:200902186200502424
整理番号:00A0990651
(111)配向Si基板上にMOCVD成長したGaNに対するAlNバッファ層の効果
The effect of AlN buffer layer on GaN grown on (111)-oriented Si substrates by MOCVD.
著者 (4件):
ZAMIR S
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
,
MEYLER B
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
,
ZOLOTOYABKO E
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
,
SALZMAN J
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
218
号:
2/4
ページ:
181-190
発行年:
2000年09月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)