文献
J-GLOBAL ID:200902186251222574
整理番号:96A0053159
応力のないInGaP/GaAs/Siを用いた0.87μm発光ダイオードの2000時間の安定動作
2000h stable operation in 0.87μm light-emitting diode using stress-free InGaP/GaAs/Si.
著者 (5件):
EGAWA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
DONG J
(Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN)
,
MATSUMOTO K
(Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
67
号:
24
ページ:
3605-3607
発行年:
1995年12月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)