文献
J-GLOBAL ID:200902186251759209
整理番号:02A0698411
ZrO2ゲート誘電体上の多結晶質シリコン電極の熱安定性
Thermal stability of polycrystalline silicon electrodes on ZrO2 gate dielectrics.
著者 (5件):
PERKINS C M
(Stanford Univ., California)
,
TRIPLETT B B
(Stanford Univ., California)
,
MCLNTYRE P C
(Stanford Univ., California)
,
SARASWAT K C
(Stanford Univ., California)
,
SHERO E
(ASM America, Arizona)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
81
号:
8
ページ:
1417-1419
発行年:
2002年08月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)