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文献
J-GLOBAL ID：200902186270052663
整理番号：96A0604486
ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術 0.1μm以下MOSFETの高性能化検討
Study on the Realization of High Performance MOSFETs with Gate lenths 0.1μm and Below.
百瀬寿代
(東芝 研開セ)
,
小野瑞城
(東芝 研開セ)
,
吉富崇
(東芝 研開セ)
,
大黒達也
(東芝 研開セ)
,
斎藤雅伸
(東芝 研開セ)
,
中村新一
(東芝 研開セ)
,
岩井洋
(東芝 研開セ)
資料名：
電子情報通信学会論文誌 C-2
(Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
巻： 79 号： 6 ページ： 218-227 発行年： 1996年06月
JST資料番号： L0196A ISSN： 0915-1907 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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