文献
J-GLOBAL ID:200902186347373620
整理番号:00A0871515
Bi2Sr2CaCu2O8+δ-SiO-Ag面状トンネル接合におけるゼロバイアスのコンダクタンスピークの増強
Zero Bias Conductance Peak Enhancement in Bi2Sr2CaCu2O8+δ-SiO-Ag Planar Tunnel Junctions.
著者 (8件):
SHIGETA I
(Kyushu Univ., Fukuoka)
,
UCHIDA T
(Kyushu Univ., Fukuoka)
,
TOMINARI Y
(Kyushu Univ., Fukuoka)
,
ARAI T
(Kyushu Univ., Fukuoka)
,
ICHIKAWA F
(Kumamoto Univ., Kumamoto)
,
FUKAMI T
(Kyushu Univ., Fukuoka)
,
AOMINE T
(Kyushu Univ., Fukuoka)
,
SVISTUNOV V M
(A. Galkin Physico-Technical Inst., National Acad. Sci. Ukraine, Donetsk, UKR)
資料名:
Journal of the Physical Society of Japan
(Journal of the Physical Society of Japan)
巻:
69
号:
9
ページ:
2743-2746
発行年:
2000年09月15日
JST資料番号:
G0509A
ISSN:
0031-9015
CODEN:
JUPSA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)