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文献
J-GLOBAL ID:200902186347373620   整理番号:00A0871515

Bi2Sr2CaCu2O8+δ-SiO-Ag面状トンネル接合におけるゼロバイアスのコンダクタンスピークの増強

Zero Bias Conductance Peak Enhancement in Bi2Sr2CaCu2O8+δ-SiO-Ag Planar Tunnel Junctions.
著者 (8件):
SHIGETA I
(Kyushu Univ., Fukuoka)
UCHIDA T
(Kyushu Univ., Fukuoka)
TOMINARI Y
(Kyushu Univ., Fukuoka)
ARAI T
(Kyushu Univ., Fukuoka)
ICHIKAWA F
(Kumamoto Univ., Kumamoto)
FUKAMI T
(Kyushu Univ., Fukuoka)
AOMINE T
(Kyushu Univ., Fukuoka)
SVISTUNOV V M
(A. Galkin Physico-Technical Inst., National Acad. Sci. Ukraine, Donetsk, UKR)

資料名:
Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)

巻: 69  号:ページ: 2743-2746  発行年: 2000年09月15日 
JST資料番号: G0509A  ISSN: 0031-9015  CODEN: JUPSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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