文献
J-GLOBAL ID:200902186376753032
整理番号:01A0872899
高アスペクト比シリコン電界エミッタアレイの作製と電気特性
Fabrication and electrical characterization of high aspect ratio silicon field emitter arrays.
著者 (2件):
RANGELOW I W
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
ST BIEHL
(μ-Sen Mikrosystemtechnik, Rudolstadt, DEU)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
19
号:
3
ページ:
916-919
発行年:
2001年05月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)