文献
J-GLOBAL ID:200902186385910213
整理番号:94A0237147
高効率薄膜Cu(In,Ga)Se2光起電力素子 光吸収層製作の一般的手法における進歩
High efficiency thin-film Cu(In,Ga) Se2-based photovoltaic devices: Progress towards a universal approach to absorber fabrication.
著者 (5件):
TUTTLE J R
(National Renewable Energy Lab., CO)
,
CONTRERAS M
(National Renewable Energy Lab., CO)
,
TENNANT A
(National Renewable Energy Lab., CO)
,
ALBIN D
(National Renewable Energy Lab., CO)
,
NOUFI R
(National Renewable Energy Lab., CO)
資料名:
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
(Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻:
23rd
ページ:
415-421
発行年:
1993年
JST資料番号:
E0756A
ISSN:
0160-8371
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)