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文献
J-GLOBAL ID：200902186399583231
整理番号：93A0682980
単一源有機金属前駆体を用いたスプレイ熱分解によるひ化ガリウム薄膜のエピタクシー成長
Epitaxial growth of gallium arsenide thin films by spray pyrolysis using a single-source organometallic precursor.
WERNBERG A A
(Eastman Kodak Co., New York, USA)
,
LAWRENCE D J
(Eastman Kodak Co., New York, USA)
,
GYSLING H J
(Eastman Kodak Co., New York, USA)
,
FILO A J
(Eastman Kodak Co., New York, USA)
,
BLANTON T N
(Eastman Kodak Co., New York, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 131 号： 1/2 ページ： 176-180 発行年： 1993年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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