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文献
J-GLOBAL ID：200902186452436491
整理番号：96A0559305
グラファイト基板上の水素化非晶質シリコンの初期成長過程の実空間研究
Real-space investigation of initial growth process of hydrogenated amorphous silicon on a graphite substrate.
MATSUSE M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
TSUBOI S
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAWASAKI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOINUMA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
EGUCHI M
(Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
,
SAKATA H
(Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 53 号： 19 ページ： 12585-12588 発行年： 1996年05月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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