文献
J-GLOBAL ID:200902186477077844
整理番号:98A0118481
1.1kVの4H-SiCパワーUMOSFET’s
1.1kV 4H-SiC Power UMOSFET’s.
著者 (6件):
AGARWAL A K
(Northrop Grumman Sci. and Technol. Center, PA, USA)
,
CASADY J B
(Northrop Grumman Sci. and Technol. Center, PA, USA)
,
ROWLAND L B
(Northrop Grumman Sci. and Technol. Center, PA, USA)
,
VALEK W F
(Northrop Grumman Sci. and Technol. Center, PA, USA)
,
WHITE M H
(Lehigh Univ., PA, USA)
,
BRANDT C D
(Northrop Grumman Sci. and Technol. Center, PA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
18
号:
12
ページ:
586-588
発行年:
1997年12月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)