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文献
J-GLOBAL ID：200902186655751198
整理番号：00A0544474
電流コラプスを最小にした0.3μmゲート長マルチフィンガーAlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波性能
Microwave Performance of 0.3-μm Gate-Length Multi-Finger AlGaN/GaN Heterojunction FETs with Minimized Current Collapse.
KUNIHIRO K
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
KASAHARA K
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
TAKAHASHI Y
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
OHNO Y
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 4B ページ： 2431-2434 発行年： 2000年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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