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文献
J-GLOBAL ID：200902186690835094
整理番号：93A0423332
Effect of ion implantation and surface structure of silicon on diamond film nucleation.
KOBAYASHI K
(Industrial Research Inst. Kanagawa Prefecture, Yokohama, JPN)
,
KUMAGAI M
(Industrial Research Inst. Kanagawa Prefecture, Yokohama, JPN)
,
KARASAWA S
(Industrial Research Inst. Kanagawa Prefecture, Yokohama, JPN)
,
WATANABE T
(Industrial Research Inst. Kanagawa Prefecture, Yokohama, JPN)
,
TOGASHI F
(Science Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 128 号： 1/4 Pt 1 ページ： 408-412 発行年： 1993年03月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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