文献
J-GLOBAL ID:200902186764080635
整理番号:00A0715428
AlxGa1-xN Schottky整流器における温度依存性と電流輸送の機構
Temperature dependence and current transport mechanisms in AlxGa1-xN Schottky rectifiers.
著者 (9件):
ZHANG A P
(Univ. Florida, Florida)
,
DANG G
(Univ. Florida, Florida)
,
REN F
(Univ. Florida, Florida)
,
HAN J
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
POLYAKOV A Y
(Inst. Rare Metals, Moscow, RUS)
,
GOVORKOV A V
(Inst. Rare Metals, Moscow, RUS)
,
REDWING J M
(Epitronics, Arizona)
,
CHO H
(Univ. Florida, Florida)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
76
号:
25
ページ:
3816-3718
発行年:
2000年06月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)