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文献
J-GLOBAL ID：200902186856077517
整理番号：01A0912619
AlGaN/GaNヘテロ構造における高温電子輸送特性
High-temperature electron transport properties in AlGaN/GaN heterostructures.
MAEDA N
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
TSUBAKI K
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
SAITOH T
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI N
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 11 ページ： 1634-1636 発行年： 2001年09月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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