文献
J-GLOBAL ID:200902186888569454
整理番号:95A0093851
フルオロカーボンガスを用いた誘導結合高密度プラズマでのSiO2/Siの選択エッチング
Investigation of selective SiO2-to-Si etching in an inductively coupled high-density plasma using fluorocarbon gases.
著者 (5件):
BELL F H
(IBM Research Division, New York)
,
JOUBERT O
(IBM Research Division, New York)
,
OEHRLEIN G S
(IBM Research Division, New York)
,
ZHANG Y
(IBM Research Division, New York)
,
VENDER D
(IBM Research Division, New York)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
12
号:
6
ページ:
3095-3101
発行年:
1994年11月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)