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文献
J-GLOBAL ID：200902186925284619
整理番号：96A0627813
エピタキシャルリフトオフ膜を用いた表面波半導体複合素子
Surface Acoustic Wave Semiconductor Coupled Devices Employing Epitaxial Lift-Off Films.
HOHKAWA K
(Kanagawa Inst. Technol, Kanagawa, JPN)
,
SUZUKI H
(Meidensha Corp., Tokyo, JPN)
,
KOMINE K
(Meidensha Corp., Tokyo, JPN)
,
HUANG Q
(Kanagawa Inst. Technol, Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 5B ページ： 3015-3019 発行年： 1996年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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