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文献
J-GLOBAL ID：200902186942716646
整理番号：03A0050147
金属酸化物半導体のための信頼性のあるHfO2/HfSixOyゲート-誘電体の形成
Formation of Reliable HfO2/HfSixOy Gate-Dielectric for Metal-Oxide-Semiconductor Devices.
QUAN Y C
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
LEE J E
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KANG H
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
ROH Y
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
JUNG D
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
YANG C-W
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 11B ページ： 6904-6907 発行年： 2002年11月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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