文献
J-GLOBAL ID:200902187003870027
整理番号:97A0806616
真性SiC/SiO2界面状態
Intrinsic SiC/SiO2 Interface States.
著者 (4件):
AFANASEV V V
(Univ. Leuven, Leuven, BEL)
,
BASSLER M
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
PENSL G
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
SCHULZ M
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
162
号:
1
ページ:
321-337
発行年:
1997年07月16日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)