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文献
J-GLOBAL ID：200902187395995710
整理番号：03A0083996
パターン化したサファイア基板とメッシュ電極を使った高い外部量子効率のInGaN系近紫外及び青発光ダイオード
InGaN-Based Near-Ultraviolet and Blue-Light-Emitting Diodes with High External Quantum Efficiency Using a Patterned Sapphire Substrate and a Mesh Electrode.
YAMADA M
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
MITANI T
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
NARUKAWA Y
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
SHIOJI S
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
NIKI I
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
SONOBE S
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
DEGUCHI K
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
SANO M
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
MUKAI T
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 12B ページ： L1431-L1433 発行年： 2002年12月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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