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文献
J-GLOBAL ID：200902187453527888
整理番号：02A0687187
スパッタAlN膜の結晶配向と残留応力に及ぼすスパッタリングガス圧力及び窒素濃度の効果
Effect of sputtering gas pressure and nitrogen concentration on crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films.
KUSAKA K
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
TANIGUCHI D
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
HANABUSA T
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
TOMINAGA K
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 66 号： 3/4 ページ： 441-446 発行年： 2002年08月19日
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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