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文献
J-GLOBAL ID：200902187453941587
整理番号：00A0767855
アンドープAlGaN/GaN HEMTのマイクロ波特性におよぼす表面パッシベーションの効果
The Effect of Surface Passivation on the Microwave Characteristics of Undoped AlGaN/GaN HEMT’s.
GREEN B M
(Cornell Univ., NY, USA)
,
CHU K K
(Cornell Univ., NY, USA)
,
CHUMBES E M
(Cornell Univ., NY, USA)
,
SMART J A
(Cornell Univ., NY, USA)
,
SHEALY J R
(Cornell Univ., NY, USA)
,
EASTMAN L F
(Cornell Univ., NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 21 号： 6 ページ： 268-270 発行年： 2000年06月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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