文献
J-GLOBAL ID:200902187473344330
整理番号:96A0408923
窒素をドープしたタイプIbダイヤモンドとほう素をドープしたダイヤモンドの電界放出特性の比較
Comparison of electric field emission from nitrogen-doped, type Ib diamond, and boron-doped diamond.
著者 (5件):
GEIS M W
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
TWICHELL J C
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
EFREMOW N N
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
KROHN K
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
LYSZCZARZ T M
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
68
号:
16
ページ:
2294-2296
発行年:
1996年04月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)