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文献
J-GLOBAL ID：200902187837727507
整理番号：98A0793910
Mg-ドープGaNエピ層における補正効果
Compensation effects in Mg-doped GaN epilayers.
ECKEY L
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
VON GFUG U
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
HOLST J
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
HOFFMANN A
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
SCHINELLER B
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
HEIME K
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
HEUKEN M
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
,
SCHOEN O
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
,
BECCARD R
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190 ページ： 523-527 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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