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文献
J-GLOBAL ID：200902187886416215
整理番号：97A1019208
強誘電体メモリ電界効果トランジスタ用の低誘電率強誘電材料の開発
Development of Low Dielectric Constant Ferroelectric Materials for the Ferroelectric Memory Feild Effect Transistor.
FUJIMORI Y
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
IZUMI N
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
NAKAMURA T
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
KAMISAWA A
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
SHIGEMATSU Y
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 9B ページ： 5935-5938 発行年： 1997年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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