文献
J-GLOBAL ID:200902187888546752
整理番号:98A0321919
電子帯構造計算によるCsGeX3(X=Cl,Br)の構造及びバンドギャップの圧力誘起変化の解析
Pressure-Induced Changes in the Structure and Band Gap of CsGeX3 (X=Cl,Br) Studied by Electronic Band Structure Calculations.
著者 (5件):
SEO D-K
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
GUPTA N
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
WHANGBO M-H
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
HILLEBRECHT H
(Inst. Anorganische Chemie, Freiburg, DEU)
,
THIELE G
(Inst. Anorganische Chemie, Freiburg, DEU)
資料名:
Inorganic Chemistry
(Inorganic Chemistry)
巻:
37
号:
3
ページ:
407-410
発行年:
1998年02月09日
JST資料番号:
C0566A
ISSN:
0020-1669
CODEN:
INOCAJ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)