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文献
J-GLOBAL ID:200902187888546752   整理番号:98A0321919

電子帯構造計算によるCsGeX3(X=Cl,Br)の構造及びバンドギャップの圧力誘起変化の解析

Pressure-Induced Changes in the Structure and Band Gap of CsGeX3 (X=Cl,Br) Studied by Electronic Band Structure Calculations.
著者 (5件):
SEO D-K
(North Carolina State Univ., North Carolina)
GUPTA N
(North Carolina State Univ., North Carolina)
WHANGBO M-H
(North Carolina State Univ., North Carolina)
HILLEBRECHT H
(Inst. Anorganische Chemie, Freiburg, DEU)
THIELE G
(Inst. Anorganische Chemie, Freiburg, DEU)

資料名:
Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)

巻: 37  号:ページ: 407-410  発行年: 1998年02月09日 
JST資料番号: C0566A  ISSN: 0020-1669  CODEN: INOCAJ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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