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文献
J-GLOBAL ID：200902187933242832
整理番号：98A0481644
(411)A GaAs基板上にMBE成長したGaAs/Al0.3Ga0.7As量子井戸構造のヘテロ界面平坦性の回復
Recovery of the heterointerface flatness of GaAs/Al0.3Ga0.7As QW grown on (411)A GaAs substrates by MBE.
林英樹
(大阪大 基礎工)
,
篠原啓介
(大阪大 基礎工)
,
清水靖之
(大阪大 基礎工)
,
上野正人
(大阪大 基礎工)
,
青木豊広
(大阪大 基礎工)
,
下村哲
(大阪大 基礎工)
,
岡本恭典
(クボタ)
,
冷水佐寿
(大阪大 基礎工)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 45th 号： 1 ページ： 380 発行年： 1998年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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