文献
J-GLOBAL ID:200902187995858210
整理番号:98A0593567
エピタキシャルGe/Siに基づく金属-半導体-金属近赤外光検出器
Metal-semiconductor-metal near-infrared light detector based on epitaxial Ge/Si.
著者 (8件):
COLACE L
(Univ. Roma Tre, Rome, ITA)
,
MASINI G
(Univ. Roma Tre, Rome, ITA)
,
GALLUZZI F
(Univ. Roma Tre, Rome, ITA)
,
ASSANTO G
(Univ. Roma Tre, Rome, ITA)
,
CAPELLINI G
(Univ. Roma Tre, Rome, ITA)
,
DI GASPARE L
(Univ. Roma Tre, Rome, ITA)
,
PALANGE E
(Univ. Roma Tre, Rome, ITA)
,
EVANGELISTI F
(Univ. Roma Tre, Rome, ITA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
72
号:
24
ページ:
3175-3177
発行年:
1998年06月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)