文献
J-GLOBAL ID:200902188054396393
整理番号:96A0691420
Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor(CSTBT). A Novel Power Device for High Voltage Application.
著者 (4件):
TAKAHASHI H
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN)
,
HARUGUCHI H
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN)
,
HAGINO H
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN)
,
YAMADA T
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka-City, JPN)
資料名:
Proceedings of the 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC’s, 1996
(Proceedings of the 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, 1996)
ページ:
349-352
発行年:
1996年
JST資料番号:
K19960461
ISBN:
0-7803-3107-9
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)