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文献
J-GLOBAL ID：200902188068583099
整理番号：97A0328770
全アロイ組成におけるInGaN厚膜の相分離とInGaN/GaN二重ヘテロ構造の形成
Phase separation in InGaN thick films and formation of InGaN/GaN double heterostructures in the entire alloy composition.
SINGH R
(Boston Univ., Massachusetts)
,
DOPPALAPUDI D
(Boston Univ., Massachusetts)
,
MOUSTAKAS T D
(Boston Univ., Massachusetts)
,
ROMANO L T
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 70 号： 9 ページ： 1089-1091 発行年： 1997年03月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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