文献
J-GLOBAL ID:200902188204834564
整理番号:93A0811228
低温成長させたガスソース分子線エピタキシャルInGaPの半絶縁特性
Semi-insulating nature of gas source molecular beam epitaxial InGaP grown at very low temperatures.
著者 (5件):
LOOK D C
(Wright State Univ., Ohio)
,
HE Y
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
RAMDANI J
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
EL-MASRY N
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
BEDAIR S M
(North Carolina State Univ., North Carolina)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
9
ページ:
1231-1233
発行年:
1993年08月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)