文献
J-GLOBAL ID:200902188288693545
整理番号:97A0964103
新しい600V-NPT-IGBTのための極薄ウェーハ技術
Ultrathin-wafer technology for a new 600V-NPT-IGBT.
著者 (3件):
LASKA T
(Siemens AG, Muenchen)
,
MATSCHITSCH M
(Siemens AG, Muenchen)
,
SCHOLZ W
(Siemens AG, Muenchen)
資料名:
Proceedings of the 9th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1997
(Proceedings of the 9th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1997)
ページ:
361-364
発行年:
1997年
JST資料番号:
K19970550
ISBN:
0-7803-3994-0
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)