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文献
J-GLOBAL ID：200902188289463560
整理番号：99A0948312
InGaN/GaN量子井戸中に形成された電界による線形電気光学効果
Linear electro-optic effect due to the built-in electric field in InGaN/GaN quantum wells.
JIANG H
(Univ. Michigan, Michigan)
,
SINGH J
(Univ. Michigan, Michigan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 13 ページ： 1932-1934 発行年： 1999年09月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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