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文献
J-GLOBAL ID：200902188318205060
整理番号：98A0810897
低速イオン注入による炭化けい素の水素パツシベーション
Hydrogen passivation of silicon carbide by low-energy ion implantation.
ACHTZIGER N
(Univ. Jena, Jena, DEU)
,
GRILLENBERGER J
(Univ. Jena, Jena, DEU)
,
WITTHUHN W
(Univ. Jena, Jena, DEU)
,
LINNARSSON M K
(Royal Inst. Technol., Kista-Stockholm, SWE)
,
JANSON M
(Royal Inst. Technol., Kista-Stockholm, SWE)
,
SVENSSON B G
(Royal Inst. Technol., Kista-Stockholm, SWE)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 7 ページ： 945-947 発行年： 1998年08月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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