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文献
J-GLOBAL ID：200902188321858318
整理番号：02A0889896
InGaN/GaN量子井戸構造と発光ダイオードの発光特性に及ぼす量子井戸形状の影響
Influence of the quantum-well shape on the light emission characteristics of InGaN/GaN quantum-well structures and light-emitting diodes.
SHIM H W
(Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
,
CHOI R J
(Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
,
JEONG S M
(Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
,
VAN VINH L
(Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
,
HONG C-H
(Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
,
SUH E-K
(Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
,
LEE H J
(Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
,
KIM Y-W
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
HWANG Y G
(Wonkwang Univ., Iksan, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 19 ページ： 3552-3554 発行年： 2002年11月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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