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文献
J-GLOBAL ID：200902188329411061
整理番号：01A0982309
Cl2/BCl3化学を用いて誘導結合プラズマエッチングしたGaN表面の特性
Characterization of inductively coupled plasma etched surface of GaN using Cl2/BCl3 chemistry.
TRIPATHY S
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
RAMAM A
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP)
,
CHUA S J
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP)
,
PAN J S
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP)
,
HUAN A
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 19 号： 5 ページ： 2522-2532 発行年： 2001年09月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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