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文献
J-GLOBAL ID：200902188445932885
整理番号：00A0912466
Si2(CH3)6から成長させた3C-SiCにおけるドナー密度とドナー準位のHall効果測定による決定
Determination of Donor Densities and Donor Levels in 3C-SiC Grown from Si2(CH3)6 Using Hall-Effect Measurements.
MATSUURA H
(Osaka Electro-Communications Univ., Osaka, JPN)
,
MASUDA Y
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
CHEN Y
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
NISHINO S
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 9A ページ： 5069-5075 発行年： 2000年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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