文献
J-GLOBAL ID:200902188617639018
整理番号:93A0781532
Surface decomposition kinetics of organosilane precursors to silicon carbide.
著者 (3件):
HAN B
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY)
,
HUDSON J B
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY)
,
INTERRANTE L V
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY)
資料名:
Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3
(Chemical Perspectives of Microelectronic Materials 3)
ページ:
457-462
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19930443
ISBN:
1-55899-177-8
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)