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J-GLOBAL ID：200902188650150962 整理番号：93A0482554

Schottkyゲートポリ(3-アルキルチオフェン)平面電界効果トランジスタの作製と特性評価

Fabrication and characterization of Schottky gate poly(3-alkylthiophene) planar field-effect transistors.

著者 (4件)：

ASSADI A

(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)

WILLANDER M

(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)

SVENSSON C

(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)

HELLBERG J

(Royal Inst. Technology, Stockholm, SWE)

資料名：

Synthetic Metals (Synthetic Metals)

巻： 58 号： 2 ページ： 187-193 発行年： 1993年05月10日
JST資料番号： C0123B ISSN： 0379-6779 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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