文献
J-GLOBAL ID:200902188849074629
整理番号:03A0084019
300mmの絶縁体上のけい素ウエハに適用できる光ルミネセンスマッピング系
Photoluminescence Mapping System Applicable to 300mm Silicon-on-Insulator Wafers.
著者 (3件):
TAJIMA M
(Inst. Space and Astronautical Sci., Sagamihara, JPN)
,
LI Z
(Inst. Space and Astronautical Sci., Sagamihara, JPN)
,
SHIMIDZU R
(Photon Design Co., Ltd., JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
41
号:
12B
ページ:
L1505-L1507
発行年:
2002年12月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)