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文献
J-GLOBAL ID：200902188875103327
整理番号：01A0304598
GaN系半導体での放射性および無放射性再結合過程
Radiative and Nonradiative Recombination Processes in GaN-Based Semiconductors.
KAWAKAMI Y
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
OMAE K
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KANETA A
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
OKAMOTO K
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SAIJOU S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
INOUE K
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NARUKAWA Y
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
MUKAI T
(Nichia Corp., Tokushima, JPN)
,
FUJITA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 183 号： 1 ページ： 41-50 発行年： 2001年01月16日
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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