文献
J-GLOBAL ID:200902188976008538
整理番号:93A0525992
Cross-sectional scanning tunneling microscopy of MBE-grown Si p-n junctions and Si/SiGe superlattices.
著者 (6件):
YU E T
(IBM Research Division, New York, USA)
,
JOHNSON M B
(IBM Research Division, New York, USA)
,
KESAN V P
(IBM Research Division, New York, USA)
,
POWELL A R
(IBM Research Division, New York, USA)
,
HALBOUT J-M
(IBM Research Division, New York, USA)
,
IYER S S
(IBM Research Division, New York, USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
127
号:
1/4
ページ:
435-439
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)